贝尔克behlke

有源散热器

AR-500W●有源散热器，可用功率高达 500W，155 x 120 x 60 mm³

 

AR-800W●有源散热器，可用功率高达 800W，155 x 120 x 87 mm³

 

AR-2000W●有源散热器，可用功率高达 2000W，275 x 120 x 87 mm³

 

AR-3000W●有源散热器，可用功率高达 3000W，395 x 120 x 87 mm³

 

AR-4000W○有源散热器，可用功率高达 4000W，515 x 120 x 87 mm³

 

AR-9000W○有源散热器，可用功率高达 9000W，411 x 370 x 80 mm³

 

 

晶闸管 / 晶闸管 / 可控硅 固定准时 可变接通时间 VAR。推拉 高压脉冲发生器 高压二极管 高压 液体冷却 高压元件

 

  开关，电流取决于导通时间，可控硅晶闸管。 千安应用，充电和放电，撬棍。

  开关，固定导通时间，标准，MOSFET。一般脉冲应用、充电和放电、脉冲电场。

  开关，固定导通时间， 高 di/dt，MOSFET。大电流、高频、卓越的突发能力、快速充放电。

  开关，固定导通时间，超快， MOSFET 。大电流、高di/dt 、中低频、超快充放电。

  开关，固定导通时间，低导通电阻，沟槽 FET。  大电流，中速充放电。

  开关，可变导通时间，标准，MOSFET。 一般脉冲和开关应用，快速上升时间，高频。

  开关，可变导通时间，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等频率的电流，快速上升时间。

  开关，可变导通时间，低电容，MOSFET。 低耦合电容。LC2 拓扑结构具有出色的瞬态抗扰度。

  开关，可变导通时间，低导通电阻，碳化硅 FET 和沟槽 FET。 高电流、低导通损耗

  开关，可变导通时间，交流 MOSFET。pos的双向开关。＆否定。电压无极变化。交流高达 5 MHz。

  开关，可变导通时间，IGBT。中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。

  开关，可变导通时间，MCT 晶闸管。 中等频率下的高 di/dt 和电流能力。真正的通断开关。

  开关，可变导通时间，推挽，MOSFET。半桥配置中的两个开关路径。真正的方波脉冲。

  开关，可变导通时间，交流推挽，MOSFET。无极性变化的正负电压半桥。

   高压脉冲发生器单元。实验室脉冲发生器单元、特殊用途的 OEM 脉冲发生器单元、普克尔斯电池驱动器。

  FDA，快速恢复高压二极管组件。快速续流二极管和网络。

  DLC，用于高压电子设备的直接液体冷却。泵组、散热器、热交换器、冷却剂等。

  高压零件组件和配件。电阻器、电容器、快速高压探头、超快速高压衰减器。