点击图片查看原图产品代码： 型号包含有关电压、电流和接通状态的编码信息。 前几位数字表示电压（千伏），破折号前的最后一位数字表示接通方式（0 = 固定接通时间，1 = 可变接通时间）。破折号后的数字表示电流（安培 x10）。例如 HTS 10-70-F：HTS = 高压晶体管开关，1 = 1 kV，0 = 固定接通时间，70 = 700 安培，F = 快速。
功能
纳秒级上升时间
超大 di/dt
低开通抖动
延迟时间短
高频率
低触发电压
电隔离可靠的开关
应用
高压脉冲发生器波克利斯电池驱动器功率管驱动器
偏转栅驱动器
撬棍开关
EMC 测试设备雷达调制器激光电子设备
简介
这种固态开关专为高压、高速开关应用而设计，如脉冲电池驱动器、偏转栅驱动器和纳秒脉冲发生器。与传统的高压开关（如冷阴极管、触发火花隙或电子管）相比，晶体管开关 HTS 50-12 具有极短的恢复时间、极高的重复率、极低的抖动和半导体器件特有的使用寿命。开关由 3 至 20 伏特振幅的正向脉冲触发。触发后的导通时间通常为 150 毫微秒。导通上升时间主要取决于工作电压、负载电容、杂散电容和杂散电感。通过优化电路设计，可实现小于 3 纳秒的风险时间。由于具有超过 10 kVDC 的电隔离，因此可以接通或断开正电压和负电压。开关还可在高电位下浮动。
布局设计注意事项
由于 HTS 开关能产生极快的电压和电流变化率，因此电路设计应符合射频电路的典型要求。这意味着所有引线应尽可能短，部分元件必须是低电感类型（现在是绕线电阻！），电源应去耦。如果印刷电路板布局不符合上述射频电路原则，则可能发生剧烈振荡，尤其是在负载阻抗较低的情况下，可能导致开关过载。为了尽可能降低振荡风险，建议在逻辑接地和高压接地之间进行连接。在浮动设置中，接地点可通过一个电容 Cc 耦合。
高压开关，固定导通时间，高 di/dt，低 Z，场效应管
具有极低阻抗的 MOSFET HV 开关 ● 转换时间极快 ● 电磁兼容性极强 ● 过载和电压反向性能稳定 ● 高开关频率下控制功率低 ● 专为安装在 PCB 上而设计 ● 导通时间从 50 ns 至 250 ns 不等
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