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behlke HTS-SIC碳化硅系列多功能高压开关HTS 61-15-SiC
高压开关，可变导通时间，低导通电阻，SiC和沟槽FET
● 通过碳化硅FET（SiC）或沟槽FET技术实现极低的导通电阻
● 具有真正继电器特性的多功能HV开关
● 可通过TTL信号控制导通时间
● 低动态开关损耗和 极低的导通损耗
● 适用于工业电源应用
● 过载和电压反转方面均很坚固
● 出色的dv / dt抗高压瞬变能力
应用说明一： BEHLKE固态开关具有极高的上升和下降时间。如果您的应用不需要全切换速度，我们建议您结合使用速度限制选件S-TT（将上升和下降时间降低约50％）和输入低通滤波器选件LP结合使用。限速选件有助于最大程度地减少快速高压脉冲电路通常存在的高频困难（例如，自激振荡，自触发，振铃等），并总体上简化了EMC设计。
应用说明二：快速固态开关对于不受钳位的电感负载或过大的布线电感产生的反向电流相对敏感。反向电流可能会以不确定的方式导通缓慢的本征（寄生）FET二极管，并且可能导致灾难性的开关故障，尤其是在关断阶段结合高关断电流时。因此，当将电感性负载或高电感性布线连接到开关时，建议始终将FET开关与快速续流二极管网络（快速串行截止二极管+并联快速续流二极管）结合使用。该保护二极管网络可通过BEHLKE FDA系列的单个二极管从外部安装。它也可以作为选件I-FWDN集成到交换模块中。
出口限制：根据美国法律和德国法律（双重使用法规），对具有最大峰值电流等于或大于500安培的快速固态开关进行出口限制。未经美国或德国出口当局的有效出口许可证，不得将这些货物出口到第三国。可能需要最终用户声明。请咨询BEHLKE。
产品代码：型号包含有关电压，电流和开启行为的编码信息。前一位数字代表电压，单位为kV，短划线前的最后一位数字表示接通行为（0 =固定导通时间，1 =可变导通时间）。破折号后的数字表示以安培x10为单位的电流。第二个破折号后的字母编码特殊功能。示例HTS 61-15-SiC：HTS = HV晶体管开关，6 = 6 kV，1 =可变导通时间，120 = 1200安培，SiC =碳化硅（或B =低导通电阻沟道FET）
采用LC2技术的碳化硅（SiC）开关。稳健和瞬态证明。由于导通电阻极低，因此导通损耗非常低，在许多情况下无需采取额外的冷却措施。请向下滚动以查看选项列表。